Héichleistungs-IGS-Uewerflächenmontage-C-Dichtungsfilter fir Halbleitergasliwwersystemer

Kuerz Beschreiwung:

Mark:HENGKO

Filternumm:IGS Uewerflächenmontage C-Seal Filter

Material:SS 316L

Duerchflussquote:10 ~ 120 SLPM

Maximal Betribstemperatur:460°C

Gréisst vun der Partikelentfernung:> 0,003 μm

Schéckt eis eng E-Mail Zréck zu den Ënnerkategorien

Produktdetailer

Produkt Tags

Beschreiwung

HENGKO Uewerflächenmontagefilter sinn entwéckelt fir den usprochsvollen Ufuerderunge vun integréierte Gassystemer ze erfëllen, déi an OEM-Hallefleeder-Tools benotzt ginn. Mat enger féierender Filtratioun vun 0,003 µm garantéieren dës Filter aussergewéinlech Leeschtung a Zouverlässegkeet mat enger Partikeloffangungseffizienz vun ≥99,9999999% (9-LRV) bei 120 slpm.

Dës Filtere si aus robustem 316L Edelstahlpulver, dat fir d'Filterelement an d'Gehäuse gesintert gouf, konform mat de SEMI F86-0304 Spezifikatiounen a si mat zwee-Port-Komponenten ausgestatt, déi fir 1,125 Zoll Gasverdeelungssystemer mat enger C-Dichtungskonfiguratioun zougeschnidden sinn. Si ënnerstëtzen en maximalen Anlaafdrock vun 3,4 MPa bei 100°C an eng maximal Betribsdrockdifferenz vun 0,69 MPa bei 100°C.

Dës spezialiséiert Filteren, kompatibel mat souwuel C- wéi och W-Typ Dichtungsspezifikatiounen, erreechen no ënnen Rengheet mat Partikelfräisetzung vun

Mat enger Uewerflächenfinish vu Ra< 1,6 µm op der Äussewelt an RaMat engem Duerchmiesser vu < 0,13 µm am Interieur sinn se entwéckelt fir héijen Temperaturen bis zu 460°C standzehalen. Dës Filter sinn entwéckelt fir einfach Integratioun an Upgrades am modulare Design, vereinfachen d'Installatioun an d'Maintenance a hëllefen doduerch d'Systemleistung an der Halbleitergasliwwerung an -kontrollapplikatiounen ze optimiséieren.

Produktfeature

▶ Gesamtkonstruktioun aus 316L Edelstol
▶ Miniaturiséierten Design, kompakt Struktur, platzspuerend
▶ Excellent Gasersatz- an Desorptiounseigenschaften
▶ Héichtemperatur-, Héichdrock- a Korrosiounsbeständeg
▶ Elektropoléiert 316L Edelstahlgehäuse
▶ Einfach an effizient Installatioun an Ënnerhalt
▶ Mechanesch Dichtung, strukturell net mam Medium geschweesst

Héichleistungs-IGS-Uewerflächenmontage-C-Dichtungsfilter fir Halbleitergasliwwersystemer

Datenblat

Technesch Parameteren	Wäerter
Material vum Filterelement	316L Edelstahl Sinterpulver
Gehäusematerial	316L Edelstahl
Maximalen Inletdrock	3,4 MPa bei 100°C
Maximal Betribsdifferenzial	0,69 MPa bei 100°C
Helium Verifizéierung Leckquote	1x10⁻¹¹ ccm/Min
Helium Test Leckquote	1x10⁻⁹ ccm/Min
Uewerflächenbehandlung	Äusseren Uewerfläch Ra< 1,6 μm
	Bannenzeg Uewerfläch Ra< 0,13 μm
Maximal Betribstemperatur	460°C
Effizienz vun der Partikelinterceptioun	≥99,9999999% (9-LRV) @ 120 slpm (Referenz-MPPS, all Partikelen)
Downstream-Propretéit	Partikelfräisetzung:< 0,03 Partikelen/Liter (< 1 Partikel/ft³)
	Flüchteg Substanzen:< 10 ppb Fiichtegkeet
Gréisst vun der Partikelinterceptioun	≥0,003 μm
Flowberäich	0 ~ 120 slpm